电子科技大学陈星弼教育发展基金

陈星弼院士（1931.1-2019.12），国际著名半导体器件物理学家、微电子学家，中国科学院院士，国际电气与电子工程师协会终身会士（IEEE Fellow），九三学社社员，电子科技大学电子科学与工程学院教授。

陈先生是国际半导体界著名的超结结构（Super Junction）的发明人，也是国际上功率器件的结终端理论的集大成者，因对高压功率MOSFET理论与设计的卓越贡献获得过业内最高荣誉“国际功率半导体先驱奖”（ISPSD 2015 Pioneer Award），成为亚太地区首位获此殊荣的科学家。从教60多年来，他为我国电子学特别是微电子与固体电子学学科的发展培养了一大批杰出人才，被誉为“中国功率半导体器件领路人”。

陈星弼教育发展基金，由陈星弼先生身后遗产约800万元人民币注入而成立。本基金设立于四川电子科技大学教育发展基金会，为专项基金，专款专用，接受社会监督。本基金为开放式留本基金，接受认可本基金的社会各界人士、企事业单位的捐赠。

本基金旨在继承和弘扬陈先生追求真理、求实探索、艰苦奋斗、科学报国的崇高精神和高尚品格，鼓励和号召广大学子与青年教师在微电子领域努力耕耘、认真实践，积极推动微电子事业发展，为人类社会进步贡献力量。

2020年6月，四川科道芯国智能技术股份有限公司与四川电子科技大学教育发展基金会签署捐赠协议，捐赠壹仟万元整用于设立“陈星弼•科道芯国教育发展基金”。

欢迎有意向的公司和个人在电子科技大学陈星弼教育发展基金设置子基金！